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Datasheet下载- 型号： BUK6210-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BUK6210-55C,118产品简介：
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Nexperia的BUK6210-55C,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-428（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 10 mΩ @ VGS = 10 V）、高雪崩耐量及AEC-Q101汽车级认证。其典型应用场景包括： - 汽车电子：车载电源管理（如BCM车身控制模块中的负载开关、LED车灯驱动、电机控制电路）、座椅/车窗升降驱动、雨刷/风扇控制等需高可靠性与温度稳定性的系统； - 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、DC-DC转换器同步整流、电机驱动（中小功率直流有刷/步进电机）、电源热插拔保护； - 消费与家电：智能家电（如洗衣机、空调压缩机辅助控制）、电动工具电池保护板、USB PD/快充协议中的路径管理开关； - 通用电源应用：高效率DC/DC降压电路、负载开关（支持快速关断与反向电流阻断）、电池供电设备的电源通断控制。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1–2.5 V），可直接由MCU GPIO驱动；具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试，抗冲击能力强，适用于存在感性负载或频繁开关的严苛环境。其-55 V额定漏源电压和30 A连续漏极电流（TC=25°C）兼顾安全裕量与功率密度，广泛用于对成本、尺寸与可靠性均有较高要求的中功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 55V 78A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 78 A |
| Id-连续漏极电流 | 78 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6210-55C,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6210-55C,118 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 128 W |
| Pd-功率耗散 | 128 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-6981-6 |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 78A （Tmb） |
| 配置 | Single |
