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  • 型号: BUD42D-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUD42D-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUD42D-1G价格参考。ON SemiconductorBUD42D-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUD42D-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUD42D-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ONS品牌的BUD42D-1G是一款NPN型硅双极结型晶体管(BJT),采用TO-220封装,具备高电压、高电流特性(典型VCEO=800V,IC=8A,PCM≈65W),内置续流二极管(集电极-发射极反并联快恢复二极管),适用于高可靠性开关场景。

主要应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):常用于AC-DC适配器、LED驱动电源及工业电源的主开关管或缓冲电路,利用其高耐压和快速关断能力处理高频高压切换;  
2. 电机控制:在中小功率直流电机、步进电机驱动电路中作为功率开关,配合PWM实现调速与启停控制;  
3. 电磁阀/继电器驱动:驱动感性负载时,内置二极管可有效吸收关断反电动势,简化外围保护设计,提升系统可靠性;  
4. 逆变器与UPS系统:用于DC-AC转换级的初级开关,尤其适用于对成本与集成度有要求的中低端不间断电源模块;  
5. 工业控制与家电:如变频空调压缩机驱动、洗衣机主控板功率输出级等需耐冲击、抗浪涌的场合。

该器件不适用于线性放大(因热设计以开关为主),也不推荐用于高频射频电路(fT约1MHz,属低频功率管)。实际应用中需注意散热设计(建议加装足够面积散热器)、基极驱动电流匹配(推荐IB≥IC/10以确保饱和导通),以及避免二次击穿风险。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK两极晶体管 - BJT 4A 650V 25W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUD42D-1G-

数据手册

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产品型号

BUD42D-1G

PCN过时产品

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 500mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 2A,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

功率-最大值

25W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

75

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

25 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

8

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

650 V

集电极—射极饱和电压

0.2 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

-

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