ICGOO在线商城 > BU34TA2WNVX-TR
Datasheet下载- 型号： BU34TA2WNVX-TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BU34TA2WNVX-TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BU34TA2WNVX-TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BU34TA2WNVX-TR价格参考￥1.28-￥1.89以及ROHM SemiconductorBU34TA2WNVX-TR封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BU34TA2WNVX-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BU34TA2WNVX-TR详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON低压差稳压器 High-Speed Load CMOS 3.4V Out 200mA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,低压差稳压器,ROHM Semiconductor BU34TA2WNVX-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BU34TA2WNVX-TR |
| 产品种类 | 低压差稳压器 |
| 供应商器件封装 | 4-SSON-EP（1.2x1.6） |
| 其它名称 | BU34TA2WNVX-TR-ND |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | SSON004 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大输入电压 | 5.5 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最小输入电压 | + 2.5 V |
| 标准包装 | 5,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/rohm-cmos-ldo-regulators/2469 |
| 电压-跌落（典型值） | 0.3V @ 200mA |
| 电压-输入 | 最高 5.5V |
| 电压-输出 | 3.4V |
| 电压调节准确度 | 1 % |
| 电流-输出 | 200mA |
| 电流-限制（最小值） | 250mA |
| 稳压器拓扑 | 正，固定式 |
| 稳压器数 | 1 |
| 线路调整率 | 20 mV |
| 负载调节 | 80 mV |
| 输出电压 | 3.4 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 输出端数量 | 1 Output |
| 输出类型 | Fixed |
.jpg)
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
