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  • 型号: BSZ22DN20NS3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ22DN20NS3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ22DN20NS3G价格参考¥2.23-¥2.38。InfineonBSZ22DN20NS3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ22DN20NS3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ22DN20NS3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSZ22DN20NS3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 3技术及PG-TSDSON-8封装(顶部散热),具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅2.2 mΩ @ VGS=10V)、高开关效率和优异的热性能。

其典型应用场景包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于48V输入DC-DC转换器(如POL模块、VRM)、同步整流、OR-ing电路,满足高电流(ID达60A)、高效率与紧凑设计需求;  
✅ 工业电源与UPS:在AC-DC PFC级、DC-DC隔离/非隔离变换器中承担主开关或同步整流角色,提升能效并降低温升;  
✅ 电动工具与电池供电设备:适用于20V–30V电池系统中的电机驱动H桥、负载开关,凭借低RDS(on)减少功耗与发热;  
✅ 汽车电子辅助系统(符合AEC-Q101,但需注意该型号为标准工业级,非车规版本;实际车载应用需确认具体认证状态)——常用于车载充电器、LED驱动、DC-DC模块等非安全关键场景。

该器件支持10V栅极驱动,具备强抗雪崩能力、低栅极电荷(Qg≈35nC)和快速开关特性,有助于减小外围磁性元件尺寸并降低EMI。其顶部散热封装特别适合PCB空间受限且底部散热受限的设计。  

(注:BSZ22DN20NS3G为工业级器件,非AEC-Q101认证;若用于汽车前装,应选用英飞凌车规型号如BSZ22DN20NS5等。)
产品参数 图文手册 常见问题
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