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  • 型号: BSZ058N03MSG
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ058N03MSG由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ058N03MSG价格参考。InfineonBSZ058N03MSG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ058N03MSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ058N03MSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSZ058N03MSG 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 5.8 mΩ @ VGS = 10 V)、快速开关特性及优异的栅极电荷(QG ≈ 14 nC)与Eoss性能。其额定电压为30 V,连续漏极电流达40 A(TC = 25°C),采用小型PG-TSDSON-8封装(3.3×3.3 mm),具备高功率密度和良好热性能。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步降压(Buck)转换器的高侧/低侧开关,提升效率与功率密度;  
✅ 电机驱动:适用于无刷直流(BLDC)电机控制器(如无人机电调、电动工具、家用电器)、H桥驱动等中低压、高频开关场合;  
✅ 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、平板、SSD电源管理模块中用作高效、紧凑的主电源开关或热插拔保护器件;  
✅ 电池管理系统(BMS):用于锂电池充放电回路的高效率、低损耗通断控制;  
✅ LED驱动与照明电源:支持高频率PWM调光及恒流驱动设计。

该器件凭借低RDS(on)和优化的开关参数,在中等功率、高效率、小尺寸要求的应用中表现突出,特别适合对能效、温升和PCB空间敏感的现代电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
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