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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ058N03LSGATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ058N03LSGATMA1价格参考。InfineonBSZ058N03LSGATMA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ058N03LSGATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ058N03LSGATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ058N03LSGATMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能低压N沟道功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅5.8 mΩ @ VGS=10 V)、快速开关特性及优异的热性能。其30 V额定电压、40 A连续漏极电流(TC=25°C)和小型PG-TSDSON-8封装(3.3×3.3 mm),特别适用于高效率、高功率密度的中低压DC-DC转换场景。 典型应用场景包括: ✅ 服务器与通信电源:用于同步整流BUCK转换器、POL(Point-of-Load)模块及VRM(电压调节模块),提升能效并降低温升; ✅ 工业电机驱动:在BLDC电机控制的半桥/全桥逆变电路中作为开关器件,支持高频PWM驱动与快速响应; ✅ 电池供电设备:如电动工具、无人机电调(ESC)、便携式医疗设备中的高效电源管理单元,兼顾低导通损耗与紧凑布局; ✅ 汽车电子:符合AEC-Q101认证(该型号为车规级版本),适用于车载DC-DC转换器、LED车灯驱动、车身控制模块(BCM)等12 V系统负载开关应用。 其集成的ESD保护、强雪崩耐受能力及优化的栅极电荷(Qg≈12 nC),进一步提升了系统可靠性与EMI表现。综上,该器件广泛应用于对效率、尺寸、可靠性和动态响应要求严苛的中高功率嵌入式电源系统中。