Datasheet下载- 型号： BSO350N03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO350N03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO350N03价格参考。InfineonBSO350N03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO350N03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO350N03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO350N03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列（采用TSDSON-8封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V，典型值）、高电流能力（ID = 35 A per channel）及优化的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，双通道结构便于实现高效半桥或双相输出设计； 2. 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机、步进电机的H桥驱动模块，支持逻辑电平（3.3 V/5 V）直接驱动，简化栅极驱动设计； 3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、嵌入式系统中用作主电源轨的双路独立负载开关，支持快速使能/关断与过流保护配合； 4. 电池管理系统（BMS）：用于便携设备或轻型电动工具中的电池充放电路径控制，双MOSFET可分别管理充电与放电回路； 5. LED驱动与照明控制：在多通道智能LED驱动器中实现PWM调光与通道独立开关。 该器件集成ESD保护、低热阻封装及增强的雪崩耐量，适合高可靠性、紧凑布局的中高功率密度应用。需注意其双通道共源极结构，使用时应确保栅极驱动信号隔离与PCB散热设计合理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO350N03_Rev1.5_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a4f9642f6 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO350N03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 6µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO350N03INDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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