Datasheet下载- 型号： BSO119N03S
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO119N03S由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO119N03S价格参考。InfineonBSO119N03S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO119N03S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO119N03S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO119N03S 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用小型SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅11.9 mΩ @ VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈6.5 nC）和快速开关特性。其30V耐压、额定连续漏极电流达4.8A（TC=25°C），适合中低压、中小功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）模块中提升效率； ✅ 电机驱动与继电器替代：用于微型直流电机（如风扇、振动马达）、电磁阀或固态继电器的低功耗控制； ✅ USB供电/Type-C接口保护与限流：配合保护IC实现过流/短路防护； ✅ 工业与消费类IoT节点：在空间受限的传感器节点、无线模组中用作高效、低静态电流的电源开关。 其逻辑电平驱动特性（可被1.8V–5V MCU GPIO直接驱动）和SOT-23小尺寸封装，特别适用于高集成度、电池供电及对PCB面积敏感的设计。需注意散热设计（建议敷铜散热）以保障持续大电流工作可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO119N03S_Rev1.5_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429f7134271 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO119N03S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO119N03SINDKR |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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