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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSO083N03MSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO083N03MSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO083N03MSG价格参考。InfineonBSO083N03MSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO083N03MSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO083N03MSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO083N03MSG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TSDSON-8（即小型化TSDSON封装，类似SO-8但底部散热焊盘优化），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.5 mΩ @ VGS=10 V）、快速开关特性及强鲁棒性（含雪崩耐量）。其主要应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备的POL（Point-of-Load）降压转换器、VRM模块中作为同步整流开关，提升效率与功率密度； • 电动工具与电池供电设备：在无刷电机（BLDC）驱动的H桥或半桥电路中用作高侧/低侧开关，支持12–24 V电池系统，兼顾低损耗与紧凑布局； • 工业控制与PLC模块：用于固态继电器、LED驱动、电源管理单元等需高频、低热耗的中功率开关场合； • 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动、水泵/风扇控制器等12 V车载应用。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)约1.2–2.2 V），兼容3.3 V/5 V MCU直接控制，配合优异的热性能（RthJA低至约50 K/W），适合空间受限且对能效要求严苛的设计。
产品参数
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