Datasheet下载- 型号： BSM200GB120DN2
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSM200GB120DN2由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSM200GB120DN2价格参考。InfineonBSM200GB120DN2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSM200GB120DN2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSM200GB120DN2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | IGBT 模块 1200V 200A DUAL |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies BSM200GB120DN2 |
| 产品型号 | BSM200GB120DN2 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 功率耗散 | 1.4 kW |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 290 A |
| 安装风格 | Screw |
| 封装/箱体 | Half Bridge2 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 配置 | Half Bridge Module |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BSM200GB120DN2 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商