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Datasheet下载- 型号： BSH121,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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BSH121,135产品简介：
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BSH121,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = 4.5 V）、小体积、快速开关特性及 30 V 漏源耐压，适合低压、中低电流（连续漏极电流 ID ≈ 2.3 A）应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路，利用其逻辑电平驱动（兼容 3.3 V/5 V MCU GPIO 直接控制）和低功耗特性； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中提升效率，尤其适用于空间受限的微型电源设计； ✅ 电机与继电器驱动：用于小型直流有刷电机（如风扇、振动马达）或信号继电器的开关控制，支持 PWM 调速； ✅ USB 接口保护与热插拔控制：配合限流/过压保护 IC 实现端口供电通断管理； ✅ 工业与消费类嵌入式系统：作为微控制器外设接口的电平转换、信号隔离开关或传感器电源使能开关。 该器件不适用于大功率、高频谐振或高压（＞30 V）场景，但凭借高集成度、可靠性和成熟量产支持，广泛用于对尺寸、成本与能效有综合要求的中低端功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSH121,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11040-6 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
