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- 型号： BSF083N03LQG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSF083N03LQG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSF083N03LQG价格参考。InfineonBSF083N03LQG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSF083N03LQG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSF083N03LQG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSF083N03LQG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TSDSON-8封装（无引线表面贴装），具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅0.83 mΩ @ VGS=10 V）、高电流能力（ID高达120 A）及优异的开关性能与热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 服务器与数据中心电源系统：用于CPU/GPU供电的同步整流BUCK转换器下管，凭借极低RDS(on)显著降低导通损耗，提升能效（满足80 PLUS Titanium要求）。 ✅ 通信设备电源模块：如5G基站PSU、光模块供电，支持高频开关（可达1 MHz），减小磁性元件体积。 ✅ 工业DC-DC变换器与POL（负载点）电源：适用于FPGA、ASIC等大电流、快瞬态响应场景，配合英飞凌驱动IC（如1EDN系列）实现高效可靠控制。 ✅ 电动工具与电池管理系统（BMS）：在12–24 V电池供电系统中用作主开关或保护开关，具备强雪崩耐受能力（UIS额定），提升系统鲁棒性。 该器件符合AEC-Q101（车规级）标准，亦可用于车载辅助电源（如ADAS域控制器供电），但非主驱应用。其优化的栅极电荷（Qg≈67 nC）与输出电荷（Qoss）平衡了开关速度与EMI，适合紧凑型高功率密度设计。
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