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  • 型号: BSC100N03MS G
  • 制造商: Infineon
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BSC100N03MS G产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/cms/en/services/download.html?filename=%2Fdgdl%2FBSC100N03MS_rev1.11.pdf%3FfolderId%3Ddb3a304313d846880113d91d60c500c4%26fileId%3Ddb3a304313d846880113de73c33c039c&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_BSC100N03MS_rev

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC100N03MS GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/cms/en/services/download.html?filename=%2Fdgdl%2FBSC100N03MS_rev1.11.pdf%3FfolderId%3Ddb3a304313d846880113d91d60c500c4%26fileId%3Ddb3a304313d846880113de73c33c039c&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_BSC100N03MS_rev

产品型号

BSC100N03MS G

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

4.8 ns

下降时间

5.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 30A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC100N03MSGINDKR

典型关闭延迟时间

8 ns

功率-最大值

30W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

12 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta), 44A (Tc)

系列

BSC100N03

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC100N03MSGATMA1 SP000311515

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