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- 型号： BSC026N02KSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC026N02KSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC026N02KSG价格参考。InfineonBSC026N02KSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC026N02KSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC026N02KSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC026N02KSG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.6 mΩ @ VGS=10 V）、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的DrMOS或多相VRM模块），满足高效率、高电流（可达60 A以上峰值）和高功率密度需求； - 工业电源与电机驱动：适用于PLC电源、伺服驱动器、变频器中的同步整流、半桥/全桥拓扑及BLDC电机控制； - 汽车电子（符合AEC-Q101）：可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）等12V/48V车载电源系统； - 消费类高能效设备：如高端游戏电源、LED驱动电源及UPS中对效率与温升敏感的主开关管。 该器件采用PG-TSDSON-8（无引脚封装），具备低寄生电感、优异散热能力（结至外壳热阻低），支持高频率（MHz级）PWM工作，显著降低开关与导通损耗，提升系统整体能效（可达98%+）。其雪崩耐量强、ESD防护完善，可靠性高，适合严苛工况下的连续运行。
产品参数
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