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- 型号： BSB165N15NZ3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSB165N15NZ3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB165N15NZ3G价格参考。InfineonBSB165N15NZ3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSB165N15NZ3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB165N15NZ3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSB165N15NZ3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-HSOF-8封装（即改进型TO-263），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅11.5 mΩ @ VGS=10 V）、高雪崩耐量、优异的开关性能及热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于12 V/24 V车载系统中的DC-DC转换器（如BUCK降压模块）、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关。该器件通过AEC-Q101认证，具备高可靠性与抗EMI能力，满足严苛车规要求。 ✅ 工业电源与服务器电源：适用于通信电源、服务器VRM（电压调节模块）、POL（负载点）转换器等高频、高效率中功率场景，凭借低Qg和快速开关特性，显著降低开关损耗。 ✅ 电动工具与家电：在无刷直流（BLDC）电机控制器中用作上/下桥臂开关，支持高脉冲电流（ID pulsed达180 A），适应短时大负载工况。 该器件额定电压150 V、连续漏极电流70 A（TC=25°C），内置ESD保护与优化体二极管，可简化外围设计并提升系统鲁棒性。综合来看，BSB165N15NZ3G特别适用于对效率、尺寸、可靠性和温度适应性要求较高的中高压、中功率开关应用。
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