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- 型号： BSB012N03LX3
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSB012N03LX3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB012N03LX3价格参考。InfineonBSB012N03LX3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSB012N03LX3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB012N03LX3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSB012N03LX3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID达120 A）和优异的开关性能。其典型应用场景包括： - 服务器与数据中心电源：用于CPU/GPU供电的同步降压转换器（如VRM模块）中作为高侧/低侧开关，提升能效与功率密度； - 工业电源与POL（负载点）转换器：在通信基站、PLC电源、可编程电源中实现高效DC-DC变换； - 电动工具与电池供电设备：支持12–24 V电池系统，用于电机驱动H桥或电子开关，兼顾低导通损耗与快速开关响应； - 汽车电子（符合AEC-Q101）：适用于车载DC-DC转换器、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动等非安全关键型低压功率应用； - 热插拔与电子保险丝（eFuse）：凭借低RDS(on)和强短路耐受能力，实现过流保护与软启动功能。 该器件采用PG-TDSON-8封装（带增强型焊盘），具备优异的散热性能与PCB贴装可靠性，适用于高功率密度、高效率、高可靠性的中低压功率开关场景。
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