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  • 型号: BS270_D74Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BS270_D74Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS270_D74Z价格参考。Fairchild SemiconductorBS270_D74Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BS270_D74Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS270_D74Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

400 mA

Id-连续漏极电流

400 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor BS270_D74Z-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BS270_D74Z

Pd-PowerDissipation

625 mW

Pd-功率耗散

625 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 500mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

BS270_D74Z-ND
BS270_D74ZFSTB
BS270_D74ZTB
BS270_D74ZTB-ND
BS270D74Z

功率-最大值

625mW

包装

带盒(TB)

单位重量

286 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

0.32 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA (Ta)

系列

BS270

通道模式

Enhancement

配置

Single

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