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产品简介:
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BQ4011YMA-200 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款非易失性静态RAM(NVSRAM),而非传统意义上的通用存储器(如DRAM、Flash),其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM,上电后自动恢复,兼具SRAM的高速读写与EEPROM的非易失性优势。 典型应用场景包括: ✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI人机界面中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保意外断电不丢数; ✅ 医疗电子设备:如便携式监护仪、输液泵,需可靠存储患者设置、报警阈值和操作历史,满足医疗安全与合规要求; ✅ 通信基础设施:基站控制模块、网络交换卡中缓存配置信息或临时会话数据,实现快速重启与配置延续; ✅ 智能电表与能源管理系统:记录用电事件、需量数据、时间戳等,符合IEC/ANSI对数据完整性和断电保持的严苛要求; ✅ 汽车电子(车载信息娱乐或车身控制模块):在宽温(–40°C 至 +85°C)、高振动环境下保存用户偏好、系统诊断码(DTC)等,支持AEC-Q100可靠性标准(注:BQ4011YMA-200为工业级,非车规,但常用于车载外围设备)。 该器件采用200ms自动存储(AutoStore)模式,支持软件控制存储(Software Store),兼容标准SRAM接口(32K × 8位,28引脚SOIC封装),简化了系统设计,替代传统“SRAM+电池+看门狗”方案,显著提升长期可靠性并降低维护成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4011YMA-200 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块(18.42x37.72) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 256K (32K x 8) |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.61",15.49mm) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 14 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 200ns |