【未分类_BQ4010YMA-85N】封装/厂家_BQ4010YMA-85N中文资料_价格

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型号： BQ4010YMA-85N
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4010YMA-85N由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4010YMA-85N价格参考。Texas InstrumentsBQ4010YMA-85N封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BQ4010YMA-85N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4010YMA-85N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4010YMA-85N 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非普通存储器（如EEPROM或Flash）。其核心特点是：在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM单元，上电后自动恢复，兼具SRAM的高速读写（访问时间85ns）与非易失性数据保持能力（典型保持时间10年）。

主要应用场景包括：  
✅ 工业控制系统：PLC、DCS模块中用于保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保意外断电不丢失；  
✅ 通信设备：基站、交换机中的配置寄存器、MAC地址表或会话上下文缓存，要求高速访问+断电可靠保存；  
✅ 医疗电子设备：如监护仪、输液泵，存储患者设置、报警阈值、运行历史等需高可靠性与快速读写的参数；  
✅ 汽车电子（符合AEC-Q200可靠性标准）：车载仪表盘、车身控制模块中保存里程、诊断故障码（DTC）、用户偏好设置等；  
✅ 智能电表与能源管理系统：记录用电数据、事件时间戳、需频繁更新且掉电不可丢的关键计量信息。

注：该器件采用SOIC-28封装，工作温度范围为–40°C 至 +85°C，支持3.3V供电，适用于对数据完整性、写入耐久性（100万次SRAM写/10万次EEPROM保存）和零电池维护有严苛要求的嵌入式系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
产品分类	存储器
品牌	Texas Instruments
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BQ4010YMA-85N
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	28-DIP 模块（18.42x37.72）
包装	托盘
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	64K （8K x 8）
封装/外壳	28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	14
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.5 V ~ 5.5 V
速度	85ns