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产品简介:
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BQ4010MA-150 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款非易失性静态RAM(NVSRAM),而非传统意义上的存储器(如DRAM、Flash),其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM,上电后自动恢复,兼具SRAM的高速读写与EEPROM的非易失性优势。 该器件容量为64K × 8位(512 Kbit),访问时间为150 ns(型号后缀“-150”即指此),工作温度范围为–40°C 至 +85°C,采用工业级封装(如DIP或SOIC),具备高可靠性与长数据保持时间(典型值达10年)。 主要应用场景包括: ✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、人机界面(HMI)中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键实时信息; ✅ 通信基础设施:基站、交换机、路由器中的配置寄存器缓存,确保意外断电不丢失配置; ✅ 医疗电子设备:监护仪、输液泵等需符合IEC 62304标准的系统,用于可靠存储患者设置、报警阈值及事件记录; ✅ 智能电表与能源管理系统:保存累计电量、费率时段、停电时间戳等计量数据,满足AMI(高级计量架构)对数据完整性的严苛要求; ✅ 航空航天与铁路控制:在宽温、高振动、高EMI环境下提供抗干扰、零电池依赖的数据保护方案。 注意:BQ4010MA-150已进入TI的产品生命周期终止(EOL)阶段,目前仅限现有库存供应,新设计建议评估替代型号(如BQ4013或新型NVSRAM/FRAM方案)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4010MA-150 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块(18.42x37.72) |
| 其它名称 | 296-32840-5 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 64K (8K x 8) |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.61",15.49mm) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 14 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 150ns |