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  • 型号: BQ4010MA-150
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4010MA-150由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4010MA-150价格参考。Texas InstrumentsBQ4010MA-150封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BQ4010MA-150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BQ4010MA-150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4010MA-150 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款非易失性静态RAM(NVSRAM),而非传统意义上的存储器(如DRAM、Flash),其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM,上电后自动恢复,兼具SRAM的高速读写与EEPROM的非易失性优势。

该器件容量为64K × 8位(512 Kbit),访问时间为150 ns(型号后缀“-150”即指此),工作温度范围为–40°C 至 +85°C,采用工业级封装(如DIP或SOIC),具备高可靠性与长数据保持时间(典型值达10年)。

主要应用场景包括:  
✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、人机界面(HMI)中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键实时信息;  
✅ 通信基础设施:基站、交换机、路由器中的配置寄存器缓存,确保意外断电不丢失配置;  
✅ 医疗电子设备:监护仪、输液泵等需符合IEC 62304标准的系统,用于可靠存储患者设置、报警阈值及事件记录;  
✅ 智能电表与能源管理系统:保存累计电量、费率时段、停电时间戳等计量数据,满足AMI(高级计量架构)对数据完整性的严苛要求;  
✅ 航空航天与铁路控制:在宽温、高振动、高EMI环境下提供抗干扰、零电池依赖的数据保护方案。

注意:BQ4010MA-150已进入TI的产品生命周期终止(EOL)阶段,目前仅限现有库存供应,新设计建议评估替代型号(如BQ4013或新型NVSRAM/FRAM方案)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP

产品分类

存储器

品牌

Texas Instruments

数据手册

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产品图片

产品型号

BQ4010MA-150

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

28-DIP 模块(18.42x37.72)

其它名称

296-32840-5
BQ4010MA-150-ND
BQ4010MA150

包装

管件

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

64K (8K x 8)

封装/外壳

28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

14

格式-存储器

RAM

电压-电源

4.75 V ~ 5.5 V

速度

150ns

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