Datasheet下载- 型号： BLS6G3135S-120,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G3135S-120,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G3135S-120,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G3135S-120,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G3135S-120,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G3135S-120,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.的BLS6G3135S-120,112是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大应用。该器件适用于无线通信基础设施，如基站和广播设备中的射频放大器设计。其高功率处理能力和良好的线性性能使其适合用于蜂窝网络系统，包括4G LTE和5G通信系统中的射频发射部分。此外，该MOSFET也可用于工业和医疗射频设备中，如射频加热、等离子体生成和射频激励激光器等应用场景。该器件具备高效率、高稳定性和高可靠性，适合在需要长时间稳定运行的高性能射频系统中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G3135S-120,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934060064112 |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| 额定电流 | 7.2A |
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