【未分类_BLP7G22-10,135】封装/厂家_BLP7G22-10,135中文资料_价格

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型号： BLP7G22-10,135
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLP7G22-10,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP7G22-10,135价格参考。NXP SemiconductorsBLP7G22-10,135封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLP7G22-10,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP7G22-10,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLP7G22-10,135 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频领域，具有高线性度、低噪声和高效能的特点，适合用于无线通信设备和其他射频相关应用中。

以下是 BLP7G22-10,135 的主要应用场景：

1. 蜂窝基站：  
   该器件适用于蜂窝基站中的射频功率放大器，提供稳定的输出功率和高效的信号传输能力。它能够支持多种通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等。

2. 无线基础设施：  
   在无线网络基础设施中，例如微波塔或中继站，BLP7G22-10,135 可以用作驱动级或末级功率放大器，确保信号覆盖范围广且质量高。

3. 射频发射机：  
   该晶体管可用于各种射频发射机中，包括广播设备、卫星通信系统以及雷达系统。其高性能特性有助于提高信号的清晰度和传输距离。

4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域：  
   在 ISM 频段的应用中，如无线传感器网络、射频识别 (RFID) 和微波加热设备，BLP7G22-10,135 提供了可靠的射频功率输出。

5. 航空航天与国防：  
   由于其卓越的射频性能和可靠性，该晶体管也广泛应用于航空航天和国防领域，例如军用通信设备、导航系统和电子战系统。

6. 测试与测量设备：  
   在实验室环境中，该器件可用于制造射频信号发生器或其他需要精确控制射频功率的测试仪器。

总之，BLP7G22-10,135 凭借其优秀的射频性能，成为许多现代通信和射频应用的理想选择，特别是在需要高效率和高线性度的场景下表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLP7G22-10,135
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	12-HVSON（6x4）
其它名称	934065973135
功率-输出	2W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	27dB
封装/外壳	12-VDFN 裸露焊盘
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	110mA
频率	700MHz ~ 2.2GHz
额定电流	-