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  • 型号: BLF988S,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF988S,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF988S,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF988S,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF988S,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF988S,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF988S,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管,专为 900–1200 MHz 频段设计(典型工作频段:960–1215 MHz),适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。其主要应用场景包括:

- 航空电子与雷达系统:广泛用于空中交通管制(ATC)二次监视雷达(SSR)、气象雷达及军用战术雷达的发射末级功放,支持脉冲工作模式,具备高增益(典型20 dB)、高输出功率(连续波下可达1000 W,脉冲下更高)和优异的热稳定性。

- 工业与科学射频源:适用于等离子体发生器、RF加热设备及医疗射频消融系统等需稳定大功率射频能量输出的工业应用。

- 无线通信基础设施(特定场景):虽非主流蜂窝基站器件,但在部分窄带专业通信系统(如TETRA、P25中继台)或宽带干扰抑制系统中,可作为高可靠性功率放大级使用。

该器件采用陶瓷金属封装(SOT1222A),支持风冷/水冷安装,具备出色的VSWR耐受能力(10:1)和内置ESD保护,适合严苛环境下的连续高功率运行。其“S,112”后缀表示标准卷带包装及符合JEDEC标准的引脚配置,便于自动化贴装。

注意:BLF988S 不适用于高频(如2.4 GHz以上)或低功耗消费类应用,设计时需严格遵循Ampleon推荐的匹配网络与偏置方案以确保性能与可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 600W LDMOS SOT539B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLF988S,112

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

LDMOST

其它名称

934066287112

功率-输出

250W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

20dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS (双), 共源

标准包装

20

电压-测试

50V

电压-额定

110V

电流-测试

1.3A

频率

500MHz ~ 1.1GHz

额定电流

2.8µA

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