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- 型号： BLF8G20LS-400PGVJ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G20LS-400PGVJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G20LS-400PGVJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G20LS-400PGVJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G20LS-400PGVJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G20LS-400PGVJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G20LS-400PGVJ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，工作频率覆盖 1.8–2.2 GHz（典型用于 2.0–2.1 GHz 5G NR n25、n41、n77 等频段），输出功率达 400 W（连续波，CW），具备高效率（典型 PAE > 65%）、高增益（>18 dB）和优异的热稳定性与可靠性。 其主要应用场景包括： ✅ 5G Massive MIMO 基站发射模块：作为2.0–2.1 GHz频段宏基站或中功率远端射频单元（RRU）中的末级功放（PA），支持高阶调制（如256-QAM）和宽带信号（100 MHz以上瞬时带宽）。 ✅ 广播与专业无线通信系统：适用于数字地面电视（DTMB/T-DAB）发射机、公共安全宽带（如TETRA、P25）及应急通信基站的射频功放级。 ✅ 工业与科研射频源：用于等离子体发生器、RF加热、MRI射频激励等需稳定大功率连续波输出的工业设备。 该器件采用陶瓷金属封装（PGVJ），支持风冷/液冷安装，内置ESD保护与高鲁棒性设计，可承受高VSWR（≥10:1）条件，适合严苛商用环境。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER ACC-8L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G20LS-400PGVJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934067802118 |
| 功率-输出 | 95W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1242C |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 3.4A |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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