Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-160V,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-160V,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-160V,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-160V,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-160V,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-160V,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号 BLF8G10LS-160V,112 属于射频功率晶体管，尽管其在系统中被归类为“其它”，但该器件主要应用于高功率射频放大场合。它基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术设计，具备高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于工作频率在甚高频（VHF）至特高频（UHF）范围内的系统。 典型应用场景包括广播电视发射机，特别是UHF频段的数字电视（DTV）发射设备，支持DVB-T、ATSC等标准；同时也广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如等离子体生成、射频加热和材料处理。此外，该器件还可用于公共安全通信、航空导航地面站及部分军用雷达系统中的射频功率放大级。 BLF8G10LS-160V,112采用先进的封装技术，能够在高电压（160V漏极工作电压）条件下稳定运行，提供高达1.2kW的连续波输出功率，适合对功率密度和可靠性要求较高的场景。其高耐用性和出色的阻抗匹配能力也使其在复杂负载条件下仍能保持良好性能。 综上，该器件主要面向专业级高功率射频系统，适用于广播传输、工业加热和关键通信基础设施等领域，是现代大功率射频放大设计中的核心组件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 未定义的类别 |
| 描述 | TRANS RF PWR LDMOS 160W SOT502B |
| 产品分类 | 其它 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-160V,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934066409112 |
| 标准包装 | 20 |
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