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- 型号： BLF8G09LS-400PGWQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G09LS-400PGWQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G09LS-400PGWQ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G09LS-400PGWQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G09LS-400PGWQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G09LS-400PGWQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G09LS-400PGWQ 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 860–960 MHz 频段（典型用于 UHF 频段）设计，典型输出功率达 400 W（连续波），具备高增益、高效率与优异热稳定性。其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：广泛用于数字地面电视（DTMB/DVB-T/T2）和模拟电视（ATSC）的 UHF 波段（如 470–862 MHz 扩展至 960 MHz）中功率/高功率发射机末级功放； 2. 无线通信基础设施：适用于 5G 基站辅助发射链路、专用无线通信（如TETRA、P25）及公共安全通信系统的宽带射频功放模块； 3. 工业与科学射频源：如等离子体发生器、RF 加热设备、MRI 射频功放等需稳定大功率 UHF 输出的场合； 4. 雷达与电子对抗（EW）系统：在中短距战术雷达、干扰机等对瞬时功率与线性度要求较高的军用/准军用平台中作为末级放大器。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT1222A），支持强制风冷或液冷，具备出色的 VSWR 耐受能力（10:1）和内置ESD保护，适合高可靠性连续运行环境。需配合匹配网络与偏置电路使用，典型工作于 AB 类或 C 类放大模式。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G09LS-400PGWQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934068059127 |
| 功率-输出 | 95W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.6dB |
| 封装/外壳 | SOT-1242C |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 15 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 3.4A |
| 频率 | 718.5MHz ~ 725.5MHz |
| 额定电流 | - |
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