【未分类_BLF7G22L-130,112】封装/厂家_BLF7G22L-130,112中文资料_价格

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型号： BLF7G22L-130,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22L-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22L-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22L-130,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G22L-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22L-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G22L-130,112 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。该型号主要应用于高频、高效率的射频功率放大器设计中，适用于以下场景：

1. 无线通信系统：  
   该器件广泛用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。其高频率特性和高效性能使其适合于现代通信标准（如 GSM、CDMA、LTE 和 5G）中的线性功率放大。

2. 广播系统：  
   在调频（FM）和电视广播系统中，BLF7G22L-130,112 可作为功率放大器的核心组件，提供稳定且高效的射频信号输出。

3. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   该型号可用于 ISM 频段内的设备，例如射频加热、等离子体生成和医疗设备中的射频能量传输。

4. 航空和国防：  
   在雷达、卫星通信和电子战系统中，这款晶体管可实现高性能的射频信号放大，满足严格的军事和航空航天要求。

5. 测试与测量设备：  
   在实验室环境中，BLF7G22L-130,112 可用于射频信号发生器、频谱分析仪和其他测试设备中，提供精确的功率放大功能。

该晶体管的工作频率范围广，具有高增益和低失真的特性，能够适应多种复杂的射频应用场景。此外，其出色的热稳定性和可靠性确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G22L-130,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	568-8661 934063499112 BLF7G22L-130,112-ND BLF7G22L130112
功率-输出	30W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18.5dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	2GHz ~ 2.2GHz
额定电流	28A