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- 型号： BLF7G10L-250,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G10L-250,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G10L-250,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G10L-250,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G10L-250,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G10L-250,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G10L-250,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 960–1215 MHz 频段（覆盖 L 波段及部分 UHF）设计，典型输出功率达 250 W（连续波），具备高增益（约 18 dB）、高效率（典型值 >65%）和优异的热稳定性与可靠性。 其主要应用场景包括： ✅ 雷达系统：广泛用于空中交通管制（ATC）、气象雷达、军用/民用监视雷达的发射末级功放，满足脉冲工作模式下的高峰值功率与线性度要求； ✅ 无线通信基础设施：适用于 5G 基站中频段（如 900 MHz/1 GHz）的宏基站或远程射频单元（RRU）中的高功率激励级或末级放大； ✅ 工业与科学射频源：如等离子体发生器、RF 加热设备、粒子加速器驱动源等需稳定大功率射频输出的场景； ✅ 电子对抗（EW）与测试仪器：作为宽带射频干扰源或高功率信号发生器的核心放大器件。 该器件采用陶瓷封装（SOT1222A），支持风冷或液冷安装，内置ESD保护与VSWR耐受能力（10:1），可在高驻波比下安全运行，显著提升系统鲁棒性。需配合NXP推荐的匹配网络与偏置电路使用，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS POWER SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G10L-250,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934065606112 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 920MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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