Datasheet下载- 型号： BLF6G15LS-250PBRN:
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15LS-250PBRN:由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15LS-250PBRN:价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15LS-250PBRN:封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G15LS-250PBRN:参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G15LS-250PBRN: 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G15LS-250PBRN是Ampleon USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件特别适用于工作频率在VHF到UHF频段（通常在175 MHz至500 MHz之间），具有高输出功率、高效率和高可靠性的特点。 该型号广泛应用于广播、工业加热、医疗射频设备以及无线通信基础设施中，如调频广播和地面数字电视发射机的功率放大模块。其高耐用性和优异的热稳定性也使其适合在恶劣环境下长时间运行的工业设备中使用。 此外，BLF6G15LS-250PBRN采用高绝缘性能的封装设计，支持高电压操作，适用于推挽或D类、E类功率放大器拓扑结构。这使其在需要高线性度和高效率的射频发射系统中表现出色，是高性能射频功率放大器的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G15LS-250PBRN: |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934064302118 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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