Datasheet下载- 型号： BLF6G10LS-200,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-200,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-200,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-200,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10LS-200,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-200,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10LS-200,118 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件基于 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备优异的热稳定性和高效率特性，适用于工作频率在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 范围内的系统。 其典型应用场景包括：陆地移动通信基站（如公共安全通信、集群通信系统）、工业与商业用射频加热设备、广播发射系统中的线性功率放大器，以及部分雷达和航空通信系统。该器件支持高增益和高输出功率（可达200W以上），同时保持良好的线性度和能效，适合用于需要高可靠性和连续波（CW）或调制信号放大的场合。 BLF6G10LS-200,118 采用坚固的封装设计，具有良好的散热性能，可在严苛环境下稳定运行，广泛应用于需要长期耐用性和高性能的工业与通信设备中。此外，该器件符合 RoHS 标准，适合现代环保要求较高的电子产品制造。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-200,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934060895118 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 871.5MHz |
| 额定电流 | 49A |
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