Datasheet下载- 型号： BLF4G20S-110B,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G20S-110B,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G20S-110B,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G20S-110B,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G20S-110B,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G20S-110B,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G20S-110B,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2.11–2.17 GHz，支持 LTE/5G Sub-6 GHz 应用）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：适用于 Sub-6 GHz（如 n1/n3/n7/n41/n78）频段的多载波、高效率发射链路，支持高平均功率（连续波输出达 110 W，脉冲模式更高）和优异线性度。 - LTE-A 与 5G NR 基站系统：广泛用于 4T4R/8T8R MIMO 基站的末级功放模块，满足高带宽（≥100 MHz）、高 PAR（峰均比）信号（如 OFDM、DFT-s-OFDM）的高效放大需求。 - 广播与专用无线通信：适用于 2.3–2.7 GHz 的宽带无线接入（WiMAX、WLAN 回传）、公共安全通信及点对点微波中继系统的射频功放级。 该器件采用高热导率陶瓷封装（SOT-1278），集成优化的输入/输出匹配网络，支持高增益（>18 dB）、高漏极效率（典型值 ≥65% @ 2.14 GHz）及卓越的可靠性（通过 AEC-Q200 认证，耐受高驻波比 VSWR ≥10:1），适合工业级长期运行环境。需配合外部偏置电路与驱动级使用，常搭配 NXP 射频驱动器（如 MMRF1022）构成完整 PA 解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G20S-110B,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2415 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 12A |
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