Datasheet下载- 型号： BLF4G20LS-110B,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G20LS-110B,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G20LS-110B,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G20LS-110B,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G20LS-110B,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G20LS-110B,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G20LS-110B,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2.11–2.17 GHz，支持 2.0–2.5 GHz 宽带应用），采用陶瓷封装（SOT1222A），具备高增益、高效率与优异热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 5G 宏基站发射链路：适用于 Sub-6 GHz（如 n1/n3/n7/n41/n78）频段的多载波、高阶调制（256QAM）功率放大器（PA），满足 5G Massive MIMO 基站对线性度与ACLR（邻道泄漏比）的严苛要求； ✅ 广播与宽带通信设备：可用于数字电视（DVB-T/T2）、无线宽带接入（WiMAX）及点对多点（PMP）通信系统的末级射频功放； ✅ 工业与科研射频源：在射频加热、等离子体发生器及EMC测试系统中，提供稳定连续波（CW）或脉冲输出（典型输出功率：110 W CW，峰值可达130 W以上）； ✅ 雷达与电子对抗（EW）子系统：适用于L波段至S波段中功率固态雷达发射模块，支持脉冲调制与宽带扫频应用。 该器件支持高电压供电（VDS = 32 V），具备内置ESD保护、良好匹配特性（输入/输出端典型50 Ω匹配），并兼容商用宽带驱动放大器，显著简化PA电路设计。其高可靠性（MTTF > 10⁶ 小时）和宽温度工作范围（−40°C 至 +150°C 结温）亦适用于户外基站及严苛工业环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G20LS-110B,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2405 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.4dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 12A |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" BU 100'.jpg)
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