Datasheet下载- 型号： BLF4G20-110B,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G20-110B,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G20-110B,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G20-110B,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G20-110B,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G20-110B,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G20-110B,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2.11–2.17 GHz，支持 5G NR n1/n3/n7/n41 等频段）。其主要应用场景包括： • 5G 宏基站功率放大器（PA）：适用于 Sub-6 GHz 有源天线单元（AAU）和远端射频单元（RRU），支持高效率（典型 PAE > 55% @ 2.14 GHz）、高线性度（满足 ACLR/ACPR 要求）及宽带连续波或调制信号（如 100 MHz 5G NR 8CA）放大。 • 宽带无线基础设施：兼容 LTE-A Pro、TD-LTE 及未来 5G 演进系统，常用于多载波、高阶 MIMO（如 4T4R/8T8R）发射链路末级功放。 • 工业与广播应用：可用于 ISM 频段（2.4–2.5 GHz）射频加热、等离子体发生器及小型数字电视（DTMB/T-DMB）发射模块，得益于其 110 W 连续波输出能力、高增益（>18 dB）及优异热稳定性（采用陶瓷封装，结温可达 200°C）。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，典型应用需满足 ESD 保护、谐波抑制及稳定性补偿要求。NXP 提供配套参考设计（如 B112A 参考板）及模型（ADS/MWO 模型），便于快速集成至通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G20-110B,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-2393 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 12A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BLF4G20-110B,112 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商