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- 型号： BLF4G10LS-160,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G10LS-160,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G10LS-160,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G10LS-160,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G10LS-160,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G10LS-160,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G10LS-160,112 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 4G/5G 基站和宽带无线通信系统设计。其典型应用场景包括： - 宏基站功率放大器（PA）：适用于 1.8–2.2 GHz 频段（如 LTE Band 1/3/7/38/40 和 5G n1/n3/n7/n41），支持多载波、高平均功率（连续波输出达 160 W，峰值功率更高），满足大规模 MIMO 和高阶调制（如 256-QAM）的线性度与效率要求。 - 广播与宽带射频发射系统：可用于 UHF 频段数字电视（DTMB/DVB-T2）或宽带无线接入（WiMAX）的末级功放模块，具备高增益（典型 >18 dB）、高漏极效率（>65% @ 2.14 GHz）及良好热稳定性。 - 工业与科研射频源：在射频加热、等离子体发生器或测试用宽带信号源中，作为高可靠性、高功率密度的射频开关/放大元件。 该器件采用陶瓷封装（SOT1222A），集成ESD保护与优化的输入/输出阻抗匹配，支持单管或推挽配置，便于简化外围电路设计。需配合专用驱动电路、散热系统（如强制风冷或液冷）及偏置控制以保障长期稳定运行。广泛应用于通信设备制造商（如华为、爱立信、中兴）的基站射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G10LS-160,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2392 |
| 功率-输出 | 160W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 894.2MHz |
| 额定电流 | 15A |
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