图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF184XR
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF184XR由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF184XR价格参考。NXP SemiconductorsBLF184XR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF184XR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF184XR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A射频MOSFET晶体管 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF184XR- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF184XR |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 135 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 135 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT1214A |
| 其它名称 | 568-10995-5 |
| 功率-输出 | 650W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-1214A |
| 封装/箱体 | SOT-1214A |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 135 V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/ldmos-rf-power-transistors/51269 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 50V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 类型 | Power LDMOS Transistor |
| 输出功率 | 650 W |
| 频率 | 10 MHz to 600 MHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
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