【未分类_BLD6G22LS-50,112】封装/厂家_BLD6G22LS-50,112中文资料_价格

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型号： BLD6G22LS-50,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLD6G22LS-50,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLD6G22LS-50,112价格参考。NXP SemiconductorsBLD6G22LS-50,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLD6G22LS-50,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLD6G22LS-50,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLD6G22LS-50,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频LDMOS MOSFET晶体管，专为2.2–2.3 GHz频段（如S波段）设计，典型应用包括：

1. 5G基站功率放大器：适用于2.3 GHz频段的宏基站和小型基站（Small Cell）末级功放（PA），支持高线性度与高效率，满足3GPP LTE/5G NR对ACLR和EVM的严苛要求。

2. 广播与无线通信系统：用于数字电视（DTMB、DVB-T/T2）发射机、公共安全通信（如TETRA、P25）及军用战术电台的射频功放模块。

3. 雷达系统：适配气象雷达、空中交通管制（ATC）雷达等连续波（CW）或脉冲式S波段雷达的发射链路，具备高增益（典型18 dB）、高输出功率（50 W P1dB，峰值功率更高）及良好热稳定性。

4. 工业与医疗RF源：如等离子体发生器、MRI射频激励源及射频加热设备，依赖其宽温度范围（−40°C 至 +150°C）与高可靠性封装（SOT539A，带金属散热底座）。

该器件采用增强型LDMOS工艺，具备高输入阻抗、低栅极电荷、优异的VSWR耐受能力（10:1），支持宽带匹配设计，并通过AEC-Q200可靠性认证（部分版本），兼顾商用与工业级应用需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DOHERTY W/CDMA SOT1130B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLD6G22LS-50,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM4
其它名称	934063512112
功率-输出	8W
包装	管件
噪声系数	-
增益	13.3dB
封装/外壳	SOT-1130B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	170mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	10.2A