Datasheet下载- 型号： BLD6G22L-50,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLD6G22L-50,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLD6G22L-50,112价格参考。NXP SemiconductorsBLD6G22L-50,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLD6G22L-50,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLD6G22L-50,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLD6G22L-50,112 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。该型号专为高频、高功率射频应用设计，具有优异的效率和线性性能，主要应用场景包括： 1. 无线通信基站 该器件适用于 4G LTE 和 5G 基站中的射频功率放大器（RFPA）。其高功率处理能力和宽带特性使其能够支持多种通信标准，满足基站对高效能和可靠性的需求。 2. 广播系统 在 AM/FM 广播或数字音频广播（DAB）中，BLD6G22L-50,112 可用于射频功率放大器，提供稳定的输出功率和良好的信号质量。 3. 工业、科学和医疗（ISM）领域 该晶体管可用于 ISM 频段的应用，如无线能量传输、等离子体生成、射频加热设备以及医疗成像设备中的射频源。 4. 航空航天与国防 在雷达系统、电子战设备和卫星通信中，这款射频功率晶体管可以提供高增益和大功率输出，支持复杂的信号处理需求。 5. 测试与测量设备 BLD6G22L-50,112 可用于高性能射频信号发生器和网络分析仪中，确保精确的信号放大和测试结果。 总结来说，BLD6G22L-50,112 凭借其出色的射频性能，广泛应用于需要高功率、高效率和高稳定性的射频场景，尤其适合通信、广播、工业和国防等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DOHERTY W/CDMA SOT1130A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLD6G22L-50,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-8632 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | SOT-1130A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 170mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10.2A |
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