Datasheet下载- 型号： BLD6G21LS-50,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLD6G21LS-50,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLD6G21LS-50,112价格参考。NXP SemiconductorsBLD6G21LS-50,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLD6G21LS-50,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLD6G21LS-50,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLD6G21LS-50,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频LDMOS MOSFET晶体管，专为2.1 GHz频段（典型工作频段：1.8–2.2 GHz）设计，常用于4G LTE及5G Sub-6 GHz基站的发射链路。其典型应用场景包括：宏基站（Macrocell）和大规模MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）中的末级功率放大器（PA），支持高效率、高线性度的信号放大；亦适用于小基站（Small Cell）、中继站及分布式天线系统（DAS）等需紧凑封装与优异热性能的场景。该器件采用SOT1227B（Air Cavity Ceramic Package）封装，具备优良散热能力，可承受高输出功率（典型连续波输出达50 W，脉冲或宽带调制下峰值功率更高），并支持Doherty架构以提升整机效率。在LTE-A/5G NR TDD/FDD系统中，配合数字预失真（DPD）技术，可满足ACLR、EVM等严苛线性指标要求。此外，也见于广播通信、雷达测试设备及工业射频加热等中高频功率应用。需注意：实际应用须严格遵循Ampleon推荐的偏置条件、匹配网络及PCB热设计规范，以确保可靠性与长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR DOHERTY W-CDMA SOT113 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLD6G21LS-50,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-8664-5 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1130B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 170mA |
| 频率 | 2.02GHz |
| 额定电流 | 10.2A |
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