【未分类_BLA1011S-200,112】封装/厂家_BLA1011S-200,112中文资料_价格

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型号： BLA1011S-200,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLA1011S-200,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA1011S-200,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA1011S-200,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLA1011S-200,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA1011S-200,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLA1011S-200,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，属于射频 MOSFET 类别，专为高效率、宽带宽、高功率放大应用设计。其典型应用场景包括：  
- 广播发射系统：适用于中波（MW）、短波（SW）及FM广播发射机末级功率放大，支持连续波（CW）或调制信号下200W输出（在1.8–30 MHz频段），具备优异的线性度与热稳定性；  
- 工业与科研射频源：用于等离子体生成、感应加热、MRI射频功放模块及粒子加速器驱动等需要稳定大功率RF激励的场合；  
- 军用/航空通信：满足MIL-STD可靠性标准，适用于HF/VHF频段战术电台、电子对抗（ECM）和雷达激励级放大；  
- 业余无线电与高功率放大器（HPA）模块：被广泛集成于商用/自制宽带线性功放中，支持SSB、AM、DRM等多种调制方式，具备内置ESD保护与优化的输入/输出匹配设计，简化外围电路。  

该器件采用陶瓷金属封装（SOT-539），支持风冷或水冷安装，具有高增益（典型15 dB @ 27 MHz）、高漏极效率（>65%）及卓越的抗负载失配能力（VSWR ≥10:1耐受），确保系统鲁棒性。需配合Ampleon推荐的栅极驱动与偏置电路使用，以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLA1011S-200,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-7543 934058889112 BLA1011S-200 BLA1011S-200,112-ND BLA1011S-200-ND BLA1011S200112
功率-输出	200W
包装	散装
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	36V
电压-额定	75V
电流-测试	150mA
频率	1.03GHz ~ 1.09GHz
额定电流	-