Datasheet下载- 型号： BGM1043N7E6327XUSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BGM1043N7E6327XUSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BGM1043N7E6327XUSA1价格参考。InfineonBGM1043N7E6327XUSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BGM1043N7E6327XUSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BGM1043N7E6327XUSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BGM1043N7E6327XUSA1 是一款高性能射频（RF）放大器，主要用于无线通信系统中的信号增强。该器件基于硅锗碳（SiGe:C）技术制造，具备高增益、低噪声和优异的线性度特性，适用于工作频率在 1.5 GHz 至 3.8 GHz 范围内的应用。 其主要应用场景包括：蜂窝通信基础设施中的小基站（Small Cells）、微基站和分布式天线系统（DAS），用于提升网络覆盖与容量；支持 LTE、5G 等现代移动通信标准，适用于宏基站的辅助射频链路或有源天线系统（AAS）。此外，该器件也广泛应用于宽带无线接入、点对点微波回传、公共安全通信系统以及工业级无线设备中。 BGM1043N7E6327XUSA1 采用小型化封装（PG-SOT363-6），适合高密度PCB布局，同时具备良好的温度稳定性和可靠性，可在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，满足严苛的工业和通信环境要求。因其高集成度和优良的射频性能，该器件在需要高效、低功耗射频放大的场景中具有显著优势。 综上，BGM1043N7E6327XUSA1 主要面向5G通信基础设施、无线回传和高性能射频前端模块等高端应用场景，是现代无线网络建设中的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC AMP SI-MMIC |
| 产品分类 | RF 放大器 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bgm1043n7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304336415dec01365e4465443c72 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BGM1043N7E6327XUSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | BGM1043N7E6327XUSA1DKR |
| 标准包装 | 1 |
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