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  • 型号: BFR750L3RHE6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR750L3RHE6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR750L3RHE6327价格参考。InfineonBFR750L3RHE6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR750L3RHE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR750L3RHE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFR750L3RHE6327 是英飞凌(Infineon)推出的高性能射频双极结型晶体管(RF BJT),采用SOT-343(SC-70)封装,专为高频、低噪声、高增益应用优化。其典型应用场景包括:  
1. 移动通信前端:广泛用于GSM、WCDMA、LTE及5G Sub-6 GHz频段的接收机低噪声放大器(LNA),支持800 MHz–2.7 GHz宽频工作,具备优异的噪声系数(NF ≈ 0.7 dB @ 1.8 GHz)和高增益(Gₐ ≈ 18 dB)。  
2. 无线基础设施:适用于小型基站(pico/femto cell)、中继器及射频模块中的驱动级或末级放大,支持高线性度与稳定输出。  
3. 物联网(IoT)与短距通信:在Wi-Fi(2.4/5 GHz)、Bluetooth、Zigbee等设备中作为LNA或缓冲放大器,兼顾低功耗与小尺寸需求。  
4. 汽车电子:用于车载远程信息处理(Telematics)、V2X通信模块的射频接收链路,满足AEC-Q100可靠性标准(该型号为工业级,但常被用于车规设计参考)。  
5. 测试测量与消费电子:集成于便携式频谱分析仪、射频开发套件及高端智能手机射频收发前端。  

其特点包括:高fₜ(约25 GHz)、优良的ESD防护(HBM > 2 kV)、匹配简易(输入/输出端口接近50 Ω),且支持DC偏置灵活配置,便于PCB布局与量产。注意:实际应用需严格遵循数据手册推荐的偏置点(如Ic ≈ 10 mA, Vce ≈ 2.5 V)及匹配网络设计,以保障稳定性与性能。
产品参数 图文手册 常见问题
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