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- 型号： BFL4037
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4037由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4037价格参考。ON SemiconductorBFL4037封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4037参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4037 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4037 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型LDMOS射频功率晶体管，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：适用于4G LTE及5G Sub-6 GHz宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），支持860–960 MHz频段（如Band 5/8/20），具备高增益（>18 dB）、高输出功率（连续波下可达120 W）和优异的功率附加效率（PAE > 65%）。 2. 无线基础设施设备：用于中继器、直放站、分布式天线系统（DAS）中的射频功放模块，满足高线性度与热稳定性要求。 3. 工业与广播应用：适用于UHF频段（如470–862 MHz）的数字电视发射、RF加热及等离子体发生器等中高功率射频源。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1227A），具备优良的散热性能与可靠性，支持宽带匹配设计，并内置ESD保护，适合严苛的户外部署环境。需配合合适的驱动级、输入/输出匹配网络及偏置电路使用，推荐工作于AB类以兼顾效率与线性度。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFL4037 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FI（LS） |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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