Datasheet下载- 型号： BFL4037-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4037-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4037-1E价格参考。ON SemiconductorBFL4037-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4037-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4037-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4037-1E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频（RF）LDMOS功率晶体管，专为宽带、高效率射频功率放大设计。其典型应用场景包括： • 蜂窝通信基站：适用于4G LTE及5G Sub-6 GHz频段（工作频率范围：1.8–3.7 GHz），常用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率（典型PAE > 50% @ 2.6 GHz）。 • 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）和中继器中的射频功放模块，满足多载波、高平均功率（连续波输出达37 W，脉冲模式更高）需求。 • 工业与专用通信系统：包括公共安全无线电（TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX）、点对点微波回传等中高频段射频发射链路。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1222-1），具备优异的热稳定性和可靠性，集成ESD保护，支持高VSWR耐受能力（≥10:1），适合严苛环境下的连续波或OFDM/SC-FDMA调制信号放大。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，典型应用参考设计可见ON Semiconductor官方数据手册（DS10094/D）及评估板BFL4037-1EVB。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4037-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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