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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4036由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4036价格参考。ON SemiconductorBFL4036封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFL4036参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFL4036 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4036 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能射频(RF)N沟道LDMOS功率晶体管,专为高频、高效率功率放大设计。其典型工作频率范围为2.4–2.5 GHz(如Wi-Fi 802.11b/g/n/ac)、3.4–3.8 GHz(5G Sub-6 GHz频段)及4.8–4.9 GHz(Wi-Fi 6E),具备高增益(典型14–15 dB)、高输出功率(连续波下可达36 W,脉冲模式更高)和优异的功率附加效率(PAE > 50%)。 主要应用场景包括: ✅ 无线通信基站与小基站(Small Cell):用于Sub-6 GHz 5G宏站/微站的末级功率放大器(PA),支持高线性度和宽带宽需求; ✅ Wi-Fi 6/6E 接入点(AP)与路由器:适用于高吞吐量企业级或高端家用路由器的2.4 GHz/5 GHz射频前端模块; ✅ 工业与专用无线系统:如点对点微波链路、WLAN中继器、物联网网关、雷达传感器等需紧凑封装(SOT-1227A,带散热焊盘)与高可靠性方案的场景; ✅ 测试与开发平台:因良好的匹配特性与成熟参考设计,常被用于射频PA评估板及教学实验平台。 该器件采用硅基LDMOS工艺,具备良好热稳定性和ESD防护能力,支持+28 V供电,推荐使用50 Ω输入/输出阻抗匹配设计。注意:BFL4036非通用开关MOSFET,不适用于DC-DC、电机驱动等低频功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFL4036 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 520 毫欧 @ 7A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FI(LS) |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.6A (Ta) |