Datasheet下载- 型号： BFL4007-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4007-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4007-1E价格参考。ON SemiconductorBFL4007-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4007-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4007-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4007-1E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型LDMOS射频功率晶体管，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型工作频率范围为2.4–2.5 GHz（如Wi-Fi 802.11b/g/n/ac 2.4 GHz频段），具备高增益（典型16 dB）、高输出功率（连续波下可达7 W）及高漏极效率（>60%），采用表面贴装SOT-1203封装，集成ESD保护，热性能优异。 主要应用场景包括： • Wi-Fi无线通信设备：用于家用/企业级无线路由器、接入点（AP）、中继器的末级功率放大器（PA），提升信号覆盖与传输稳定性； • 物联网（IoT）网关与智能终端：在需远距离、低功耗、高可靠射频连接的工业网关、智能家居中枢等设备中提供高效射频驱动； • 短距离无线系统：适用于Zigbee、Thread及部分蓝牙高功率模块的射频前端； • 通用2.4 GHz ISM频段应用：如无线音视频传输、遥控遥测、RFID读写器等。 该器件强调高线性度与热鲁棒性，适合紧凑型PCB布局，配合匹配网络可快速实现量产级射频设计。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8.7A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4007-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 680 毫欧 @ 7A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Tc） |
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