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  • 型号: BFG325/XR,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG325/XR,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG325/XR,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG325/XR,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFG325/XR,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG325/XR,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFG325/XR,215 是恩智浦(NXP)推出的高性能射频双极结型晶体管(RF BJT),专为高频、低噪声放大应用优化。其典型应用场景包括:

- VHF/UHF频段射频前端放大:适用于400–1000 MHz频段,常用于无线通信设备的低噪声接收前端(LNA),如数字对讲机、专业无线麦克风、PMR/LMR系统等。

- 汽车电子无线模块:集成于车载遥控无钥匙进入(RKE)、胎压监测系统(TPMS)接收器中,提供高增益与良好线性度,保障弱信号可靠接收。

- 工业与安防无线收发器:在ISM频段(如433 MHz、868 MHz)短距离无线数据传输设备中,用作接收通道一级放大器,兼顾低噪声系数(NF ≈ 1.2 dB @ 433 MHz)与高增益(Gₐ ≈ 17 dB)。

- 消费类射频产品:如高端无线音频发射/接收模块、智能家居网关的2.4 GHz以下子GHz RF链路(需配合匹配电路),满足EMC与能效要求。

该器件采用SOT323封装,尺寸小、热性能优,支持表面贴装;“/XR,215”后缀表示符合AEC-Q100车规级可靠性标准,具备更高温度稳定性(-40°C 至 +150°C)和长期可靠性,适合严苛环境部署。注意:实际应用中需严格遵循NXP推荐的偏置点(如Ic ≈ 5 mA, Vce ≈ 3 V)及输入/输出阻抗匹配网络设计,以确保最佳噪声与增益性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BFG325/XR,215

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 15mA,3V

供应商器件封装

SOT-143R

其它名称

568-1977-6
BFG325XR215

功率-最大值

210mW

包装

Digi-Reel®

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.1dB @ 2GHz

增益

18.3dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-143R

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

6V

电流-集电极(Ic)(最大值)

35mA

频率-跃迁

14GHz

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