【未分类_BF992,215】封装/厂家_BF992,215中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BF992,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF992,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF992,215价格参考。NXP SemiconductorsBF992,215封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF992,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF992,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 BF992,215 是一款双栅极增强型 N 沟道射频场效应晶体管（MOSFET），属于射频晶体管类别，广泛应用于高频信号处理场景。该器件具有低噪声、高增益和良好的线性特性，适合在甚高频（VHF）至超高频（UHF）范围内工作。

BF992,215 常用于无线通信系统中的射频前端设计，如FM收音机、电视调谐器、无线麦克风接收器和小型无线数据传输模块。其双栅极结构使其特别适用于需要良好信号选择性和抗干扰能力的场合，例如多频道接收设备中作为高频放大器或混频器使用，可有效抑制强信号干扰，提高接收灵敏度。

此外，该器件也适用于低功耗、便携式射频设备，如物联网（IoT）终端、远程遥控装置和无线传感器网络，因其工作电压较低（通常为3V至10V），功耗小，适合电池供电环境。

BF992,215 采用SOT23小型封装，体积紧凑，便于集成在高密度印刷电路板上，广泛应用于消费电子和工业控制领域中的射频模拟电路设计。由于其稳定性和可靠性，也被用于一些汽车电子中的车载广播接收模块。

总之，BF992,215 是一款适用于低噪声放大、混频和高频信号处理的射频MOSFET，典型应用场景包括无线接收设备、广播调谐器、低功耗通信模块及需要高选择性的射频前端电路。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	0.04 A
Id-连续漏极电流	0.04 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF992,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BF992,215
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	200 mW
Pd-功率耗散	200 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 8 V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	射频MOSFET晶体管
产品类型	RF MOSFET Small Signal
供应商器件封装	SOT-143B
其它名称	568-1971-2 933615000215 BF992 T/R
功率-输出	-
功率耗散	200 mW
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
噪声系数	1.2dB
增益	-
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-253-4，TO-253AA
封装/箱体	SOT-4
工厂包装数量	3000
技术	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道双门
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	3,000
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	0.04 A
电压-测试	10V
电压-额定	20V
电流-测试	15mA
配置	Single Dual Gate
闸/源击穿电压	+/- 8 V
零件号别名	BF992 T/R
频率	200MHz
额定电流	40mA