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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF199,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF199,112价格参考。NXP SemiconductorsBF199,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF199,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF199,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BF199,112的晶体管由NXP USA Inc.生产,属于双极型晶体管(BJT)类别,是一款单晶体管器件。该晶体管广泛应用于射频(RF)和高频电子电路中,适用于需要良好高频性能的场景。 BF199,112的主要应用场景包括: 1. 射频放大器:由于其良好的高频响应,常用于射频信号的放大,适用于通信设备和无线接收系统。 2. 混频器与振荡器:在射频和微波电路中,该晶体管可作为混频器或振荡器的关键组件,用于频率转换或信号生成。 3. 低噪声前置放大器:在接收机前端电路中,用于放大微弱信号,同时保持较低的噪声水平,提升系统灵敏度。 4. 工业控制与传感器电路:在需要高频开关或信号调节的工业电子系统中也有应用。 5. 消费类电子产品:如电视调谐器、FM接收器等设备中,作为信号处理的关键元件。 BF199,112采用SOT54封装,具备良好的稳定性和可靠性,适合高频、低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 25V 25MA SOT54 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BF199,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 38 @ 7mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 933063420112 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 25mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 550MHz |