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- 型号： BF1218,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1218,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1218,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1218,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1218,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1218,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1218,115 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能硅N沟道RF MOSFET晶体管，专为高频、小信号射频放大应用优化。其典型工作频率范围为30 MHz至1 GHz，具备低噪声系数（NF ≈ 1.4 dB @ 450 MHz）、高增益（GT ≈ 15 dB @ 450 MHz）和良好输入/输出匹配特性（无需外部中和电容），采用SOT-23小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 主要应用场景包括： - VHF/UHF无线通信前端：如对讲机（PMR/LMR）、无绳电话、车载电台的接收机低噪声放大器（LNA）； - 数字广播接收模块：DAB/DAB+、FM收音机中的射频预选与第一级放大； - 物联网（IoT）与短距无线设备：Sub-1 GHz ISM频段（如433 MHz、868 MHz、915 MHz）的无线传感器节点、遥控器、智能计量（AMR）接收链路； - 汽车电子：TPMS（胎压监测系统）接收器、遥控钥匙（RKE）接收前端等低功耗、高灵敏度射频应用。 该器件设计强调低功耗（IDSS典型值仅2–6 mA，可偏置在低静态电流下工作）、高可靠性及ESD防护能力（HBM > 2 kV），适用于电池供电或空间受限的便携式/嵌入式射频系统。需注意其非功率放大器件，不适用于发射末级或高功率驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1218,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6160-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 32dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 19mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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