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- 型号： BF1215,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1215,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1215,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1215,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1215,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1215,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1215,115 是恩智浦（NXP）推出的高性能硅N沟道双栅MOSFET，专为射频（RF）小信号放大应用设计。其典型应用场景包括： - VHF/UHF频段（30–1000 MHz）低噪声前置放大器：如FM收音机、电视调谐器、无线麦克风接收前端，利用其低噪声系数（NF ≈ 1.5 dB @ 100 MHz）和高增益（Gₐ ≈ 15 dB @ 100 MHz）提升信噪比； - 窄带射频放大模块：在业余无线电设备、短距离无线通信（如433/868 MHz ISM频段）中用作缓冲级或驱动级； - 高频振荡器与混频器有源器件：得益于双栅结构（G1为主栅控制增益，G2为辅助栅调节偏置与线性度），便于实现增益可调、本振隔离及失真抑制； - 消费电子射频前端：曾广泛用于20世纪末至21世纪初的模拟电视调谐器、卫星接收机LNB低噪声模块等。 需注意：BF1215,115为TO-92封装、通孔安装器件，属成熟停产型号（现多被GaAs或SiGe宽带MMIC替代），当前主要用于维修替换、教育演示或对成本/兼容性敏感的存量设备升级。设计时应严格遵循数据手册推荐偏置（如VGS1≈ –0.5 V，ID≈ 5 mA）及PCB布局（短引线、良好接地）以保障稳定性与噪声性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1215,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6158-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 增益 | 30dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 19mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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